- Ученые в Германии и Франции создали более интеллектуальные, экологически чистые технологии хранения для устройств
- Эта новая память SOT-MRAM увеличивает потребление энергии на 50% и повышает эффективность
- Это редкие металлы и делает хранение более дешевым, быстрее и более устойчивым
Исследовательская группа в Университете Йоханнеса Гутенберга Mainz (JGU) в Майнце, Германия, работала с французской компанией Antaios, которая фокусируется на магнитной памяти, для разработки энергоэффективной технологии хранения, которая может снизить потребление электроэнергии в хранении данных.
Прогресс, основанный на памяти с магнитно-транспортным средством (спин-орбитальная Scorque), может обеспечить повышение эффективности для ряда интеллектуальных устройств, от смартфонов до суперкомпьютеров.
Этот прорыв проводится почти через год после того, как Институт Института промышленных технологий (ITRI) и TSMC анонсировали свой собственный чип SOT-MRAM, который был описан как кэш, системная память и память.
Орбитальный зал -эффект
Из-за более низкого потребления энергии и нелетучих характера SOT-MRAM считается многообещающей альтернативой статической оперативной памяти. В отличие от обычной памяти, электрические токи используются для изменения магнитных состояний, что обеспечивает надежное хранение данных. Сокращение высокого входного тока, необходимого для написания данных, оставалось проблемой. Таким образом, команда JGU разработала магнитный материал, который содержал рутении в качестве канала SOT, рассматривала эти проблемы и улучшила производительность.
Доктор Рахул Гуппа, бывший постдокторский исследователь из Института физики JGUS и основной автор нового исследования, сказал: «Этот прототип является уникальным и может революционизировать хранение и обработку данных. Более быстрые и более эффективные решения для хранения.
Технология снижает потребление энергии более чем на 50%, повышает эффективность на 30%, снижает содержание контента на 20%и обеспечивает базу данных более десяти лет.
Исследования основаны на эффекте циркуляции, который обеспечивает более высокую энергоэффективность, не зависит от редких или дорогих материалов. Традиционная SOT-MRAM зависит от эффекта спинового зала, который требует элементов с сильной спин-орбитальной связью, такими как платиновая и вольфрамовая.
«Напротив, в нашем подходе используется новое основное явление, используя орбитальные токи в орбитальном зале из потоков нагрузки, что устраняет зависимость от дорогих и редких материалов», — сказал Гупта.
Исследование под названием «Использование эффекта орбитального зала в спин-орбита Естественное общениеПолем
Вы также могли бы понравиться
