Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba («Toshiba») добавила в свой ассортимент продукцию «серии TRSxxx120Hx» продуктов на 1200 В. третье поколение Карбид кремния (SiC) Диоды с барьером Шоттки (SBD) для промышленных систем, таких как фотоэлектрические инверторы, зарядные станции для электромобилей. и импульсные источники питания. Toshiba сегодня начала поставки десяти новых продуктов этой серии: пять в корпусе TO-247-2L и пять в корпусе TO-247.
Этот пресс-релиз содержит мультимедийный контент. Полный пресс-релиз можно найти здесь:
Toshiba: SiC-диоды Шоттки третьего поколения на напряжение 1200 В. (Графика: Business Wire)
Новая серия TRSxxx120Hx — это продукты на 1200 В, которые улучшенная структура Шоттки с улучшенным барьерным барьером (JBS)[1] третьего поколения SiC SBD Toshiba на 650 В. Благодаря использованию нового металла в барьерном слое новые продукты достигают лучших в отрасли характеристик. [2] низкое прямое напряжение 1,27 В (типичное), низкая общая емкость и низкий обратный ток. Это значительно снижает потери производительности устройства в высокопроизводительных приложениях.
Toshiba продолжит расширять предложение силовых устройств SiC и сосредоточится на повышении эффективности для снижения потерь мощности в промышленных силовых устройствах.
Примечания:
[1] Улучшенная структура JBS: структура, которая объединяет структуру Merged PiN Шоттки (MPS), которая снижает прямое напряжение при больших токах, в структуру JBS, тем самым снижая электрическое поле на интерфейсе Шоттки и уменьшая потери тока.
[2] SiC SBD до 1200 В. По состоянию на сентябрь 2024 г., опрос Toshiba.
Приложения
-
Фотоэлектрический инвертор
-
Зарядные станции для электромобилей
-
Импульсные источники питания для промышленных предприятий, ИБП
Функции
-
SiC SBD третьего поколения, 1200 В
-
Ведущий в отрасли[2] низкое прямое напряжение: ВФ＝1,27 В (тип.) (IФ=ЯФ (постоянный ток))
-
Низкий общий емкостный заряд: QС=109 нКл (тип.) (ВР=800 В, f = 1 МГц) для TRS20H120H
-
Низкий обратный ток: IР＝2,0 мкА (тип.) (ВР=1200 В) для TRS20H120H
| Основные характеристики | |||||||||
|
(Если не указано иное, TА =25°С) | |||||||||
|
Номер детали |
упаковка |
Абсолютные максимальные значения |
Электрические свойства |
образец теста и
Доступность | |||||
|
Повторный разворот пика
Напряжение
вРРМ
(В) |
Вперед
Постоянный ток
текущий
яФ (постоянный ток)
(А) |
Не повторяющийся
ожидать
Импульсный ток
яФСМ
(А) |
прямое напряжение
(измерение пульса)
вФ
(В) |
обратный ток
(измерение пульса)
яР
(мкА) |
Общий емкостной заряд
вопросС
(нК) | ||||
|
|
Температурный режим
ТС
(°С) |
f=50 Гц
(полусинусоидальный сигнал, t=10 мс),
ТС=25°С |
яФ=ЯФ (постоянный ток) |
вР= 1200 В |
вР=800В, f=1МГц | ||||
|
Тип. |
Тип. |
Тип. | |||||||
|
ТО-247-2Л |
1200 |
10 |
160 |
80 |
1,27 |
1.0 |
61 | ||
|
15 |
157 |
110 |
1,4 |
89 | |||||
|
20 |
155 |
140 |
2.0 |
109 | |||||
|
30 |
150 |
210 |
2,8 |
162 | |||||
|
40 |
147 |
270 |
3.6 |
220 | |||||
|
До 247 |
5 (в каждую сторону)
10 (обе ноги) |
160 |
40 (в одну сторону)
80 (обе ноги) |
1,27
(за маршрут) |
0,5
(за маршрут) |
30
(за маршрут) | |||
|
7,5 (в одну сторону)
15 (Обе ноги) |
157 |
55 (в одну сторону)
110 (обе ноги) |
0,7
(за маршрут) |
43
(за маршрут) | |||||
|
10 (в каждую сторону)
20 (обе ноги) |
155 |
70 (в одну сторону)
140 (обе ноги) |
1.0
(за маршрут) |
57
(за маршрут) | |||||
|
15 (в каждую сторону)
30 (обе ноги) |
150 |
105 (в одну сторону)
210 (обе ноги) |
1,4
(за маршрут) |
80
(за маршрут) | |||||
|
20 (в одну сторону)
40 (обе ноги) |
147 |
135 (в одну сторону)
270 (обе ноги) |
1,8
(за маршрут) |
108
(за маршрут) | |||||
Нажмите на ссылку ниже, чтобы узнать больше о новых продуктах.
ТРС10Х120Х
ТРС15Х120Х
ТРС20Х120Х
ТРС30Х120Х
ТРС40Х120Х
ТРС10Н120ХБ
ТРС15Н120ХБ
ТРС20Н120ХБ
ТРС30Н120ХБ
ТРС40Н120ХБ
Для получения дополнительной информации о SiC SBD Toshiba воспользуйтесь ссылками ниже.
SiC диоды Шоттки
SiC-диод с барьером Шоттки 3-го поколения (SBD).
Перейдите по ссылке ниже, чтобы узнать больше об источниках питания Toshiba SiC.
Силовые компоненты SiC
Проверить наличие новинок в интернет-магазинах можно на сайте:
ТРС10Х120Х
Купить онлайн
ТРС15Х120Х
Купить онлайн
ТРС20Х120Х
Купить онлайн
ТРС30Х120Х
Купить онлайн
ТРС40Х120Х
Купить онлайн
ТРС10Н120ХБ
Купить онлайн
ТРС15Н120ХБ
Купить онлайн
ТРС20Н120ХБ
Купить онлайн
ТРС30Н120ХБ
Купить онлайн
ТРС40Н120ХБ
Купить онлайн
*Названия компаний, названия продуктов и сервисов могут быть товарными знаками соответствующих компаний.
*Информация в этом документе, включая цены и характеристики продукта, содержание услуг и контактную информацию, актуальна на дату объявления, но может быть изменена без предварительного уведомления.
О корпорации Toshiba Electronic Devices & Storage
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ведущий поставщик передовых полупроводниковых решений и решений для хранения данных, опирается на более чем полувековой опыт и инновации, чтобы предоставлять клиентам и деловым партнерам выдающиеся дискретные полупроводники, системные БИС и продукты для жестких дисков.
Ее 19 400 сотрудников по всему миру стремятся максимизировать ценность продукции и способствовать тесному сотрудничеству с клиентами для совместного создания ценности и освоения новых рынков. Компания надеется на создание и внесение вклада в лучшее будущее для людей во всем мире.
Посмотреть оригинальную версию на businesswire.com:
Запросы клиентов:
Отдел продаж и маркетинга силовых и малосигнальных устройств I
Тел: +81-44-548-2216
Связаться с нами
Запросы СМИ:
Чиаки Нагасава
Отдел цифрового маркетинга.
Корпорация электронных устройств и систем хранения Toshiba
полукон[email protected]
© Бизнес Вайр, Инк.
Отказ от ответственности:
Этот пресс-релиз не является документом, созданным AFP. AFP не несет ответственности за их содержание. Если у вас есть какие-либо вопросы по поводу данного пресс-релиза, свяжитесь с контактным лицом/офисом, указанным в тексте пресс-релиза.
